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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT5010LVFRGMOSFET N-CH 500V 47A TO264 Microchip Technology |
3,176 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 47A (Tc) | - | 100mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 470 nC @ 10 V | - | 8900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT6021SFLLGMOSFET N-CH 600V 29A D3PAK Microchip Technology |
2,948 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 29A (Tc) | - | 210mOhm @ 14.5A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | - | 3470 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
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APT20M22LVRGMOSFET N-CH 200V 100A TO264 Microchip Technology |
4,126 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 435 nC @ 10 V | ±30V | 10200 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT1201R6SVFRGMOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK Microchip Technology |
4,723 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 8A (Tc) | - | 1.6Ohm @ 4A, 10V | 4V @ 1mA | 230 nC @ 10 V | - | 3660 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
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APT8043SFLLGMOSFET N-CH 800V 20A D3PAK Microchip Technology |
4,750 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 20A (Tc) | - | 430mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 1mA | 85 nC @ 10 V | - | 2500 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
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APT10086BVFRGMOSFET N-CH 1000V 13A TO247 Microchip Technology |
3,634 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 13A (Tc) | - | 860mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 275 nC @ 10 V | - | 4440 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT50M75B2LLGMOSFET N-CH 500V 57A T-MAX Microchip Technology |
4,906 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 57A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 28.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 125 nC @ 10 V | ±30V | 5590 pF @ 25 V | - | 570W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT50M75LLLGMOSFET N-CH 500V 57A TO264 Microchip Technology |
4,053 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 57A (Tc) | - | 75mOhm @ 28.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 125 nC @ 10 V | - | 5590 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT6015LVRGMOSFET N-CH 600V 38A TO264 Microchip Technology |
4,386 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 38A (Tc) | - | 150mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 475 nC @ 10 V | - | 9000 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT20M20B2FLLGMOSFET N-CH 200V 100A T-MAX Microchip Technology |
4,270 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | - | 20mOhm @ 50A, 10V | 5V @ 2.5mA | 110 nC @ 10 V | - | 6850 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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