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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT8043BLLGMOSFET N-CH 800V 20A TO247 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 20A (Tc) | - | 430mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 1mA | 85 nC @ 10 V | - | 2500 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT5010B2VRGMOSFET N-CH 500V 47A T-MAX Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 47A (Tc) | - | 100mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 470 nC @ 10 V | - | 8900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT84M50B2MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 84A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT6021BFLLGMOSFET N-CH 600V 29A TO247 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 29A (Tc) | - | 210mOhm @ 14.5A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | - | 3470 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT1201R6BVFRGMOSFET N-CH 1200V 8A TO247 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 8A (Tc) | - | 1.6Ohm @ 4A, 10V | 4V @ 1mA | 230 nC @ 10 V | - | 3660 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT24M120LMOSFET N-CH 1200V 24A TO264 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A (Tc) | 10V | 680mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260 nC @ 10 V | ±30V | 8370 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT10086BVRGMOSFET N-CH 1000V 13A TO247 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 13A (Tc) | - | 860mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 275 nC @ 10 V | - | 4440 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT66M60LMOSFET N-CH 600V 70A TO264 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 70A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 2.5mA | 330 nC @ 10 V | ±30V | 13190 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT8043BFLLGMOSFET N-CH 800V 20A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 20A (Tc) | - | 430mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 1mA | 85 nC @ 10 V | - | 2500 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT66M60B2MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 70A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 2.5mA | 330 nC @ 10 V | ±30V | 13190 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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