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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT18F60BMOSFET N-CH 600V 19A TO247 Microchip Technology |
3,094 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 19A (Tc) | 10V | 390mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 90 nC @ 10 V | ±30V | 3550 pF @ 25 V | - | 335W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT7F100BMOSFET N-CH 1000V 7A TO247 Microchip Technology |
2,759 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 7A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 500µA | 58 nC @ 10 V | ±30V | 1800 pF @ 25 V | - | 290W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT9M100BMOSFET N-CH 1000V 9A TO247 Microchip Technology |
3,148 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 9A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 5A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 2605 pF @ 25 V | - | 335W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT12M80BMOSFET N-CH 800V 13A TO247 Microchip Technology |
2,006 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 13A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 2470 pF @ 25 V | - | 335W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT11F80BMOSFET N-CH 800V 12A TO247 Microchip Technology |
2,853 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 12A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 2471 pF @ 25 V | - | 337W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT30N60BC6MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Microchip Technology |
3,599 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 14.5A, 10V | 3.5V @ 960µA | 88 nC @ 10 V | ±20V | 2267 pF @ 25 V | - | 219W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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MSC750SMA170SAMOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK Microchip Technology |
2,259 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab) | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 6A (Tc) | 20V | 940mOhm @ 2.5A, 20V | 3.25V @ 100µA (Typ) | 11 nC @ 20 V | +23V, -10V | 184 pF @ 1000 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
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APT9F100BMOSFET N-CH 1000V 9A TO247 Microchip Technology |
3,255 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 9A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 5A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 2606 pF @ 25 V | - | 337W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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MSC360SMA120SAMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26 Microchip Technology |
2,315 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 11A (Tc) | 20V | 450mOhm @ 5A, 20V | 3.14V @ 250µA | 21 nC @ 20 V | +23V, -10V | 255 pF @ 1000 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - | - |
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APT23F60BMOSFET N-CH 600V 24A TO247 Microchip Technology |
4,454 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 24A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 1mA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 4415 pF @ 25 V | - | 415W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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