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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPP65R190CFDAAKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3 Infineon Technologies |
4,138 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17.5A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 4.5V @ 700µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3 |
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IPP80P03P405AKSA1MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
2,590 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 10V | 5mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 253µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 25 V | - | 137W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPP80P04P4L04AKSA1MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
4,539 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.7mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 250µA | 176 nC @ 10 V | +5V, -16V | 3800 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPP80P04P4L06AKSA1MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
3,921 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.7mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 150µA | 104 nC @ 10 V | +5V, -16V | 6580 pF @ 25 V | - | 88W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPP80P04P4L08AKSA1MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
3,988 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.2mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 120µA | 92 nC @ 10 V | +5V, -16V | 5430 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPS65R600E6AKMA1MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3 Infineon Technologies |
3,178 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ E6 | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7.3A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 2.1A, 10V | 3.5V @ 210µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 440 pF @ 100 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPW65R190CFDAFKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Infineon Technologies |
4,927 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17.5A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 4.5V @ 700µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-3 |
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IPW80R290C3AFKSA1MOSFET N-CH 800V TO247 Infineon Technologies |
4,097 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPZ60R125P6FKSA1MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4 Infineon Technologies |
3,707 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ P6 | TO-247-4 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 37.9A (Tc) | 10V | 99mOhm @ 14.5A, 10V | 4.5V @ 1.21mA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 3330 pF @ 100 V | - | 219W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4 |
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SN7002WH6433XTMA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Infineon Technologies |
4,245 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | 4.5V, 10V | - | - | - | ±20V | - | - | - | - | - | - | - | - |
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