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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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94-2503PBFMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Infineon Technologies |
2,224 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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94-4849PBFMOSFET P-CH 55V 11A DPAK Infineon Technologies |
2,212 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRFC4310EFMOSFET N-CH 100V DIE ON FILM Infineon Technologies |
2,390 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPB45N06S409ATMA2MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Infineon Technologies |
3,315 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ T2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 45A (Tc) | 10V | 9.4mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 34µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 3785 pF @ 25 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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IPB80N06S4L05ATMA2MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
4,402 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.1mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 60µA | 110 nC @ 10 V | ±16V | 8180 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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IPP80N06S407AKSA2MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
4,065 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 10V | 7.4mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 40µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF @ 25 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPS70R950CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251 Infineon Technologies |
3,076 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 7.4A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 150µA | 15.3 nC @ 10 V | ±20V | 328 pF @ 100 V | - | 68W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPS70R2K0CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 Infineon Technologies |
2,747 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 4A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 1A, 10V | 3.5V @ 70µA | 7.8 nC @ 10 V | ±20V | 163 pF @ 100 V | - | 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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AUIRF1324STRL7PMOSFET N-CH 24V 340A D2PAK Infineon Technologies |
3,224 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 24 V | 340A (Tc) | 10V | 1.65mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 7590 pF @ 24 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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AUIRLS8409-7TRLMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
2,880 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 4.5V, 10V | 0.75mOhm @ 100A, 10V | 2.4V @ 250µA | 266 nC @ 4.5 V | ±16V | 16488 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7 |
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