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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    HT8KC6TB1

    HT8KC6TB1

    MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8HSMT

    Rohm Semiconductor

    2,901
    RFQ
    HT8KC6TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 6.5A (Ta), 15A (Tc) 29mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 7.6nC @ 10V 460pF @ 30V 2W (Ta), 14W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    HP8KE6TB1

    HP8KE6TB1

    MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,433
    RFQ
    HP8KE6TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 6A (Ta), 17A (Tc) 54mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V 305pF @ 50V 3W (Ta), 21W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    HP8KB6TB1

    HP8KB6TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,500
    RFQ
    HP8KB6TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 10.5A (Ta), 24A (Tc) 15.7mOhm @ 10.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V 530pF @ 20V 3W (Ta), 21W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    HP8KC6TB1

    HP8KC6TB1

    MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,500
    RFQ
    HP8KC6TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 8.5A (Ta), 23A (Tc) 27mOhm @ 8.5A, 10V 2.5V @ 1mA 7.6nC @ 10V 460pF @ 30V 3W (Ta), 21W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SH8ME5TB1

    SH8ME5TB1

    MOSFET 100V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,888
    RFQ
    SH8ME5TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 100V 4.5A (Ta) 58mOhm @ 4.5A, 10V, 91mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V, 52nC @ 10V 305pF @ 50V, 2100pF @ 50V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8KE7TB1

    SH8KE7TB1

    MOSFET 2N-CH 100V 8A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,401
    RFQ
    SH8KE7TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 8A (Ta) 20.9mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 19.8nC @ 10V 1110pF @ 50V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HP8JE5TB1

    HP8JE5TB1

    MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    1,104
    RFQ
    HP8JE5TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 100V 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) 127mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 38nC @ 10V 1370pF @ 50V 3W (Ta), 21W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SH8JE5TB1

    SH8JE5TB1

    MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,438
    RFQ
    SH8JE5TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 100V 4.5A (Ta) 91mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 52nC @ 10V 2100pF @ 50V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HP8KE7TB1

    HP8KE7TB1

    MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,475
    RFQ
    HP8KE7TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 10A (Ta), 24A (Tc) 19.6mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 19.8nC @ 10V 1100pF @ 50V 3W (Ta), 26W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    HP8KB7TB1

    HP8KB7TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,465
    RFQ
    HP8KB7TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 16A (Ta), 24A (Tc) 8mOhm @ 16A, 10V 2.5V @ 1mA 27nC @ 10V 1570pF @ 20V 3W (Ta), 26W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
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