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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    SP8M41HZGTB

    SP8M41HZGTB

    MOSFET N/P-CH 80V 3.4A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,142
    RFQ
    SP8M41HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 80V 3.4A (Ta), 2.6A (Ta) 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V 2.5V @ 1mA 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    SP8K22HZGTB

    SP8K22HZGTB

    MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    420
    RFQ
    SP8K22HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 45V 4.5A (Ta) 46mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6nC @ 5V 550pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8K32TB1

    SH8K32TB1

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    10,215
    RFQ
    SH8K32TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 4.5A 65mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 5V 500pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0)
    SH8J31GZETB

    SH8J31GZETB

    MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    27,423
    RFQ
    SH8J31GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active - 2 P-Channel (Dual) - 60V 4.5A 70mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 1mA 40nC @ 10V 2500pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8K52HZGTB

    SP8K52HZGTB

    MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,354
    RFQ
    SP8K52HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 3A (Ta) 170mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 610pF @ 25V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8J65TB1

    SH8J65TB1

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,671
    RFQ
    SH8J65TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7A 29mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 18nC @ 5V 1200pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8M31GZETB

    SH8M31GZETB

    MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,336
    RFQ
    SH8M31GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 4.5A (Ta) 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 1mA 7nC @ 5V, 40nC @ 10V 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8K4TB1

    SH8K4TB1

    MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,901
    RFQ
    SH8K4TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9A 17mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 5V 1190pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8K33HZGTB

    SP8K33HZGTB

    MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,581
    RFQ
    SP8K33HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 5A (Ta) 48mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 12nC @ 5V 620pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    SP8K2HZGTB

    SP8K2HZGTB

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,390
    RFQ
    SP8K2HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 6A (Ta) 30mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 10.1nC @ 5V 520pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
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