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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSM120D12P2C005

    BSM120D12P2C005

    MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

    Rohm Semiconductor

    7
    RFQ
    BSM120D12P2C005

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 120A (Tc) - 2.7V @ 22mA - 14000pF @ 10V 780W -40°C ~ 150°C (TJ) - - - Module
    BSM180D12P2E002

    BSM180D12P2E002

    MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE

    Rohm Semiconductor

    8
    RFQ
    BSM180D12P2E002

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 204A (Tc) - 4V @ 35.2mA - 18000pF @ 10V 1360W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    BSM600D12P3G001

    BSM600D12P3G001

    MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE

    Rohm Semiconductor

    7
    RFQ
    BSM600D12P3G001

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 600A (Tc) - 5.6V @ 182mA - 31000pF @ 10V 2450W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    BSM180D12P3C007

    BSM180D12P3C007

    MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

    Rohm Semiconductor

    13
    RFQ
    BSM180D12P3C007

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 180A (Tc) - 5.6V @ 50mA - 900pF @ 10V 880W 175°C (TJ) - - Surface Mount Module
    BSM400D12P3G002

    BSM400D12P3G002

    MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE

    Rohm Semiconductor

    2
    RFQ
    BSM400D12P3G002

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tc) - 5.6V @ 109.2mA - 17000pF @ 10V 1570W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    BSM300D12P3E005

    BSM300D12P3E005

    MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE

    Rohm Semiconductor

    6
    RFQ
    BSM300D12P3E005

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 300A (Tc) - 5.6V @ 91mA - 14000pF @ 10V 1260W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    BSM400D12P2G003

    BSM400D12P2G003

    MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE

    Rohm Semiconductor

    4
    RFQ
    BSM400D12P2G003

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tc) - 4V @ 85mA - 38000pF @ 10V 2450W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - Module
    BSM450D12P4G102

    BSM450D12P4G102

    MOSFET 2N-CH 1200V 447A MODULE

    Rohm Semiconductor

    4
    RFQ
    BSM450D12P4G102

    Tabla de datos

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 447A (Tc) - 4.8V @ 218.4mA - 44000pF @ 10V 1.45kW (Tc) 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    EM5K5T2R

    EM5K5T2R

    MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5

    Rohm Semiconductor

    42
    RFQ

    -

    - 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 300mA 600mOhm @ 300mA, 4.5V - - - 150mW - - - Surface Mount EMT5
    SH8M2TB1

    SH8M2TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    171
    RFQ
    SH8M2TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 3.5A 83mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 5V 140pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
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