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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    QH8KE5TCR

    QH8KE5TCR

    MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,750
    RFQ
    QH8KE5TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 2A (Ta) 202mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 2.8nC @ 10V 90pF @ 50V 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QH8ME5TCR

    QH8ME5TCR

    MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,980
    RFQ
    QH8ME5TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 2A (Ta) 202mOhm @ 2A, 10V, 270mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 2.8nC @ 10V, 19.7nC @ 10V 90pF @ 50V, 590pF @ 50V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    UT6MC5TCR

    UT6MC5TCR

    MOSFET 60V 3.5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    4,990
    RFQ
    UT6MC5TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 60V 3.5A (Ta), 2.5A (Ta) 95mOhm @ 3.5A, 10V, 280mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA - - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    UT6MB5TCR

    UT6MB5TCR

    MOSFET 40V 5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    2,990
    RFQ
    UT6MB5TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 40V 5A (Ta), 3.5A (Tc) 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA - - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    QH8JE5TCR

    QH8JE5TCR

    MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,900
    RFQ

    -

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 2A (Ta) 270mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 19.7nC @ 10V 590pF @ 50V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QS8M51HZGTR

    QS8M51HZGTR

    MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,630
    RFQ
    QS8M51HZGTR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 2A (Ta), 1.5A (Ta) 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V 2.5V @ 1mA 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V 290pF @ 25V, 950pF @ 25V 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TSMT8
    QH8KE6TCR

    QH8KE6TCR

    MOSFET 2N-CH 100V 4A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,840
    RFQ
    QH8KE6TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 4A (Ta) 56mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V 305pF @ 50V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    HT8KE5TB1

    HT8KE5TB1

    MOSFET 2N-CH 100V 2.5A 8HSMT

    Rohm Semiconductor

    2,980
    RFQ
    HT8KE5TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 2.5A (Ta), 7A (Tc) 193mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 2.9nC @ 10V 90pF @ 50V 2W (Ta), 13W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    SH8M3TB1

    SH8M3TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    544
    RFQ
    SH8M3TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 5A, 4.5A 51mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nC @ 5V 230pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HT8KB5TB1

    HT8KB5TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 5A 8HSMT

    Rohm Semiconductor

    4,000
    RFQ
    HT8KB5TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 5A (Ta), 12A (Tc) 47mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 10V 150pF @ 20V 2W (Ta), 13W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
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