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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    QH8KC5TCR

    QH8KC5TCR

    MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    157
    RFQ
    QH8KC5TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 3A (Ta) 90mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 3.1nC @ 10V 135pF @ 30V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    UT6JA3TCR

    UT6JA3TCR

    MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    2,224
    RFQ
    UT6JA3TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 5A (Ta) 59mOhm @ 5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.5nC @ 4.5V 460pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    UT6JC5TCR

    UT6JC5TCR

    MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    1,106
    RFQ
    UT6JC5TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 60V 2.5A (Ta) 280mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 6.3nC @ 10V 265pF @ 30V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    HS8K1TB

    HS8K1TB

    MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10

    Rohm Semiconductor

    9,651
    RFQ
    HS8K1TB

    Tabla de datos

    - 8-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 1mA 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V 348pF @ 15V, 429pF @ 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HSML3030L10
    SH8K41GZETB

    SH8K41GZETB

    MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,635
    RFQ
    SH8K41GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 80V 3.4A 130mOhm @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 6.6nC @ 5V 600pF @ 10V 1.4W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UT6KB5TCR

    UT6KB5TCR

    MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    2,062
    RFQ
    UT6KB5TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 5A (Ta) 48mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 10V 150pF @ 20V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    QH8K26TR

    QH8K26TR

    MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    1,480
    RFQ
    QH8K26TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 7A (Ta) 38mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 2.9nC @ 5V 275pF @ 20V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    UT6K3TCR1

    UT6K3TCR1

    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    2,961
    RFQ
    UT6K3TCR1

    Tabla de datos

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 5.5A (Ta) 42mOhm @ 5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 4nC @ 4.5V 450pF @ 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    HS8MA2TCR1

    HS8MA2TCR1

    MOSFET N/P-CH 30V 5A 9DFN

    Rohm Semiconductor

    687
    RFQ
    HS8MA2TCR1

    Tabla de datos

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 5A (Ta), 7A (Ta) 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V 320pF @ 10V, 365pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN3333-9DC
    UT6J3TCR1

    UT6J3TCR1

    MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN

    Rohm Semiconductor

    2,974
    RFQ
    UT6J3TCR1

    Tabla de datos

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 3A (Ta) 85mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 8.5nC @ 4.5V 2000pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020-8D
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