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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    SH8M41TB1

    SH8M41TB1

    MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    5,780
    RFQ
    SH8M41TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 80V 3.4A, 2.6A 130mOhm @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 9.2nC @ 5V 600pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HP8K24TB

    HP8K24TB

    MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    9,426
    RFQ
    HP8K24TB

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 30V 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 10V, 36nC @ 10V 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SH8KB7TB1

    SH8KB7TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    9,906
    RFQ
    SH8KB7TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 13.5A (Ta) 8.4mOhm @ 13.5A, 10V 2.5V @ 1mA 27nC @ 10V 1570pF @ 20V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8M51GZETB

    SH8M51GZETB

    MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    3,783
    RFQ
    SH8M51GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 3A (Ta), 2.5A (Ta) 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8KC7TB1

    SH8KC7TB1

    MOSFET 2N-CH 60V 10.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,829
    RFQ
    SH8KC7TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 10.5A (Ta) 12.4mOhm @ 10.5A, 10V 2.5V @ 1mA 22nC @ 10V 1400pF @ 30V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8K32HZGTB

    SP8K32HZGTB

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,126
    RFQ
    SP8K32HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 4.5A (Ta) 65mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 5V 500pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8K32GZETB

    SH8K32GZETB

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    6,426
    RFQ
    SH8K32GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 4.5A (Ta) 65mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 5V 500pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UT6KC5TCR

    UT6KC5TCR

    MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN

    Rohm Semiconductor

    1,091
    RFQ
    UT6KC5TCR

    Tabla de datos

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 3.5A (Ta) 95mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.1nC @ 10V 135pF @ 30V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020-8D
    SH8MB5TB1

    SH8MB5TB1

    MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    8,392
    RFQ
    SH8MB5TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 40V 8.5A (Ta) 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8M51HZGTB

    SP8M51HZGTB

    MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    869
    RFQ
    SP8M51HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 3A (Ta), 2.5A (Ta) 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
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