Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    MSCSM70TLM10C3AG

    MSCSM70TLM10C3AG

    MOSFET 4N-CH 700V 241A MODULE

    Microchip Technology

    15
    RFQ

    -

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 700V 241A (Tc) 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.4V @ 8mA (Typ) 430nC @ 20V 9000pF @ 700V 690W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole Module
    MSCSM120AM11CT3AG

    MSCSM120AM11CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 254A SP3F

    Microchip Technology

    3
    RFQ
    MSCSM120AM11CT3AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 254A (Tc) 10.4mOhm @ 120A, 20V 2.8V @ 3mA 696nC @ 20V 9060pF @ 1000V 1.067kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCM20AM058G

    MSCM20AM058G

    MOSFET 2N-CH 200V 280A LP8

    Microchip Technology

    3
    RFQ
    MSCM20AM058G

    Tabla de datos

    - Module Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N Channel (Phase Leg) - 200V 280A (Tc) - - - - - - - - Chassis Mount LP8
    MSCSM170TLM15CAG

    MSCSM170TLM15CAG

    MOSFET 4N-CH 1700V 179A SP6C

    Microchip Technology

    5
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV) 179A (Tc) 15mOhm @ 90A, 20V 3.2V @ 7.5mA 534nC @ 20V 9900pF @ 1000V 843W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C
    MSCSM70TLM07CAG

    MSCSM70TLM07CAG

    MOSFET 4N-CH 700V 349A SP6C

    Microchip Technology

    4
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 700V 349A (Tc) 6.4mOhm @ 120A, 20V 2.4V @ 12mA 645nC @ 20V 13500pF @ 700V 966W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C
    MSCSM70VR1M10CTPAG

    MSCSM70VR1M10CTPAG

    MOSFET 6N-CH 700V 238A

    Microchip Technology

    2
    RFQ
    MSCSM70VR1M10CTPAG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) - 700V 238A (Tc) 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.4V @ 8mA 430nC @ 20V 9000pF @ 700V 674W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120TLM11CAG

    MSCSM120TLM11CAG

    MOSFET 4N-CH 1200V 251A SP6C

    Microchip Technology

    4
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV) 251A (Tc) 10.4mOhm @ 120A, 20V 2.8V @ 3mA 696nC @ 20V 9000pF @ 1000V 1042W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C
    MSCSM170TLM11CAG

    MSCSM170TLM11CAG

    MOSFET 4N-CH 1700V 238A SP6C

    Microchip Technology

    5
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV) 238A (Tc) 11.3mOhm @ 120A, 20V 3.2V @ 10mA 712nC @ 20V 13200pF @ 1000V 1114W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C
    MSCSM120TLM08CAG

    MSCSM120TLM08CAG

    MOSFET 4N-CH 1200V 333A SP6C

    Microchip Technology

    6
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV) 333A (Tc) 7.8mOhm @ 80A, 20V 2.8V @ 4mA 928nC @ 20V 12000pF @ 1000V 1378W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C
    MSCSM120AM027CT6AG

    MSCSM120AM027CT6AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 733A SP6C

    Microchip Technology

    12
    RFQ
    MSCSM120AM027CT6AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 733A (Tc) 3.5mOhm @ 360A, 20V 2.8V @ 9mA 2088nC @ 20V 27000pF @1000V 2.97kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C
    Total 303 Record«Prev12345678910...31Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios