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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    MSCSM120AM50CT1AG

    MSCSM120AM50CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1F

    Microchip Technology

    2,948
    RFQ
    MSCSM120AM50CT1AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 50mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 1mA 137nC @ 20V 1990pF @ 1000V 245W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP1F
    MSCSM70AM10CT3AG

    MSCSM70AM10CT3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 241A SP3F

    Microchip Technology

    3,713
    RFQ
    MSCSM70AM10CT3AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 241A (Tc) 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.4V @ 8mA 430nC @ 20V 9000pF @ 700V 690W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170AM23CT1AG

    MSCSM170AM23CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 124A

    Microchip Technology

    4,724
    RFQ
    MSCSM170AM23CT1AG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 124A (Tc) 22.5mOhm @ 60A, 20V 3.2V @ 5mA 356nC @ 20V 6600pF @ 1000V 602W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170AM11CT3AG

    MSCSM170AM11CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 240A

    Microchip Technology

    4,479
    RFQ
    MSCSM170AM11CT3AG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 240A (Tc) 11.3mOhm @ 120A, 20V 3.2V @ 10mA 712nC @ 20V 13200pF @ 1000V 1.14kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170DUM058AG

    MSCSM170DUM058AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 353A

    Microchip Technology

    1
    RFQ
    MSCSM170DUM058AG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1700V (1.7kV) 353A (Tc) 7.5mOhm @ 180A, 20V 3.3V @ 15mA 1068nC @ 20V 19800pF @ 1000V 1642W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170DUM039AG

    MSCSM170DUM039AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 523A

    Microchip Technology

    3,224
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1700V (1.7kV) 523A (Tc) 5mOhm @ 270A, 20V 3.3V @ 22.5mA 1602nC @ 20V 29700pF @ 1000V 2400W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120DUM027AG

    MSCSM120DUM027AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 733A

    Microchip Technology

    1
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 733A (Tc) 3.5mOhm @ 360A, 20V 2.8V @ 9mA 2088nC @ 20V 27000pF @ 1000V 2968W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM02CT6LIAG

    MSCSM120AM02CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1200V 947A SP6C LI

    Microchip Technology

    1
    RFQ
    MSCSM120AM02CT6LIAG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 947A (Tc) 2.6mOhm @ 480A, 20V 2.8V @ 12mA 2784nC @ 20V 36240pF @ 1000V 3.75kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    MSCSM120AM31T1AG

    MSCSM120AM31T1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 89A

    Microchip Technology

    4,207
    RFQ
    MSCSM120AM31T1AG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM70VR1M19C1AG

    MSCSM70VR1M19C1AG

    MOSFET 2N-CH 700V 124A

    Microchip Technology

    4,286
    RFQ
    MSCSM70VR1M19C1AG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
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