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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    MSCSM170AM039CD3AG

    MSCSM170AM039CD3AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 523A

    Microchip Technology

    2
    RFQ
    MSCSM170AM039CD3AG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 523A (Tc) 5mOhm @ 270A, 20V 3.3V @ 22.5mA 1602nC @ 20V 29700pF @ 1000V 2.4kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    APTM50H14FT3G

    APTM50H14FT3G

    MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3

    Microchip Technology

    13
    RFQ
    APTM50H14FT3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 500V 26A 168mOhm @ 13A, 10V 5V @ 1mA 72nC @ 10V 3259pF @ 25V 208W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTC60DSKM24T3G

    APTC60DSKM24T3G

    MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

    Microchip Technology

    7
    RFQ
    APTC60DSKM24T3G

    Tabla de datos

    CoolMOS™ SP3 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N Channel (Dual Buck Chopper) - 600V 95A 24mOhm @ 47.5A, 10V 3.9V @ 5mA 300nC @ 10V 14400pF @ 25V 462W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM50HM65FT3G

    APTM50HM65FT3G

    MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3

    Microchip Technology

    8
    RFQ
    APTM50HM65FT3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 500V 51A 78mOhm @ 25.5A, 10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V 7000pF @ 25V 390W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM50AM38STG

    APTM50AM38STG

    MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

    Microchip Technology

    6
    RFQ
    APTM50AM38STG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 500V 90A 45mOhm @ 45A, 10V 5V @ 5mA 246nC @ 10V 11200pF @ 25V 694W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    MSCSM70TLM19C3AG

    MSCSM70TLM19C3AG

    MOSFET 4N-CH 700V 124A SP3F

    Microchip Technology

    5
    RFQ

    -

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM70VR1M10CT3AG

    MSCSM70VR1M10CT3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 241A

    Microchip Technology

    4
    RFQ
    MSCSM70VR1M10CT3AG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 241A (Tc) 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.4V @ 8mA 430nC @ 20V 9000pF @ 700V 690W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCM20XM10T3XG

    MSCM20XM10T3XG

    MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X

    Microchip Technology

    9
    RFQ
    MSCM20XM10T3XG

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 200V 108A (Tc) 9.7mOhm @ 81A, 10V 5V @ 250µA 161nC @ 10V 10700pF @ 50V 341W (Tc) -40°C ~ 125°C (Tc) - - Chassis Mount SP3X
    MSCSM120HM31CT3AG

    MSCSM120HM31CT3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3F

    Microchip Technology

    3
    RFQ

    -

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM70AM07CT3AG

    MSCSM70AM07CT3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F

    Microchip Technology

    3
    RFQ
    MSCSM70AM07CT3AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 353A (Tc) 6.4mOhm @ 120A, 20V 2.4V @ 12mA 645nC @ 20V 13500pF @ 700V 988W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
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