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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT10M11JVRMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 144A (Tc) | 10V | - | 4V @ 2.5mA | 450 nC @ 10 V | ±30V | 10300 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT4012BVRMOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 37A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 18.5A, 10V | 4V @ 1mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 5400 pF @ 25 V | - | 370W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT4012BVRGMOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 37A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 18.5A, 10V | 4V @ 1mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 5400 pF @ 25 V | - | 370W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT12080JVRMOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 15A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 485 nC @ 10 V | ±30V | 7800 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT5014B2VRGMOSFET N-CH 500V T-MAX Microsemi Corporation |
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- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | 47A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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APT4016BVRGMOSFET N-CH 400V TO-247 Microsemi Corporation |
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- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | 27A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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APT130SM70BSICFET N-CH 700V 110A TO247-3 Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 110A (Tc) | 20V | 45mOhm @ 60A, 20V | 2.4V @ 1mA | 220 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3950 pF @ 700 V | - | 556W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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APT130SM70JSICFET N-CH 700V 78A SOT227 Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 78A (Tc) | 20V | 45mOhm @ 60A, 20V | 2.4V @ 1mA | 270 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3950 pF @ 700 V | - | 273W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
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APT130SM70SMOSFET N-CH 700V D3PAK Microsemi Corporation |
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* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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APT35SM70BSICFET N-CH 700V 35A TO247-3 Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 35A (Tc) | 20V | 145mOhm @ 10A, 20V | 2.5V @ 1mA | 67 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1035 pF @ 700 V | - | 176W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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