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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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2N6802UMOSFET N-CH 500V 2.5A 18ULCC Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | 18-CLCC | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 2.5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 4.46 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 800mW (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 18-ULCC (9.14x7.49) |
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2N6849MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | TO-205AF Metal Can | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 6.5A (Tc) | 10V | 320mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 250µA | 34.8 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 800mW (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-39 |
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2N6849UMOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | 18-CLCC | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 6.5A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 4.1A, 10V | 4V @ 250µA | 34.8 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 800mW (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 18-ULCC (9.14x7.49) |
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2N6764T1MOSFET N-CH 100V 38A TO3 Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | TO-204AE | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 38A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 38A, 10V | 4V @ 250µA | 125 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3 |
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2N6768T1MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 14A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-254AA |
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2N6770T1MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
- | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-254AA |
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APT1002RBNGMOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD Microsemi Corporation |
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POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 8A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 4A, 10V | 4V @ 1mA | 105 nC @ 10 V | ±30V | 1800 pF @ 25 V | - | 240W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT4065BNGMOSFET N-CH 400V 11A TO247AD Microsemi Corporation |
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POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 11A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 1mA | 55 nC @ 10 V | ±30V | 950 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT40M42JNMOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | SOT-227-4, miniBLOC | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 86A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 5mA | 760 nC @ 10 V | ±30V | 14000 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT40M75JNMOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP Microsemi Corporation |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | SOT-227-4, miniBLOC | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 56A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 28A, 10V | 4V @ 2.5mA | 370 nC @ 10 V | ±30V | 6800 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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