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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT5012JNMOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP Microsemi Corporation |
2,605 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | SOT-227-4, miniBLOC | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 43A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 21.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 370 nC @ 10 V | ±30V | 6500 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT5022BNGMOSFET N-CH 500V 27A TO247AD Microsemi Corporation |
4,497 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 27A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 13.5A, 10V | 4V @ 1mA | 210 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT5025BNMOSFET N-CH 500V 23A TO247AD Microsemi Corporation |
4,128 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 23A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 11.5A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT6030BNMOSFET N-CH 600V 23A TO247AD Microsemi Corporation |
2,149 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 23A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 11.5A, 10V | 4V @ 1mA | 210 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT6040BNMOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Microsemi Corporation |
2,363 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT6040BNGMOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Microsemi Corporation |
3,371 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT8018JNMOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP Microsemi Corporation |
4,764 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | SOT-227-4, miniBLOC | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 40A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 5mA | 700 nC @ 10 V | ±30V | 14000 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT8075BNMOSFET N-CH 800V 13A TO247AD Microsemi Corporation |
2,704 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 13A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
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APT58MJ50JMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP Microsemi Corporation |
3,232 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 58A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 540W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT10M07JVRMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Microsemi Corporation |
3,046 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 225A (Tc) | 10V | - | 4V @ 5mA | 1050 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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