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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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FQI2N80TUMOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK Fairchild Semiconductor |
550 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 2.4A (Tc) | 10V | 6.3Ohm @ 900mA, 10V | 5V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 550 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 85W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
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FQPF6N40CTMOSFET N-CH 400V 6A TO220F Fairchild Semiconductor |
680 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 6A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 625 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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FQB7P06TMMOSFET P-CH 60V 7A D2PAK Fairchild Semiconductor |
549 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 7A (Tc) | 10V | 410mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±25V | 295 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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FQD6N50CTFMOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Fairchild Semiconductor |
750 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±30V | 700 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 61W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
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FQPF19N10MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F Fairchild Semiconductor |
582 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 13.6A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 6.8A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 780 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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FDP6030BLPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Fairchild Semiconductor |
800 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 18mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 17 nC @ 5 V | ±20V | 1160 pF @ 15 V | - | 60W (Tc) | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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HUFA76639P3MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
973 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 51A (Tc) | 4.5V, 10V | 26mOhm @ 51A, 10V | 3V @ 250µA | 86 nC @ 10 V | ±16V | 2400 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FQI15P12TUMOSFET P-CH 120V 15A I2PAK Fairchild Semiconductor |
901 | - |
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- |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 15A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1100 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK (TO-262) |
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SSP45N20A35A, 200V, 0.065OHM, N-CHANNEL M Fairchild Semiconductor |
519 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 35A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 17.5A, 10V | 4V @ 250µA | 152 nC @ 10 V | ±30V | 3940 pF @ 25 V | - | 175W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FQPF6N50C3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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