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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT20M22JVRU3MOSFET N-CH 200V 97A SOT227 Microchip Technology |
3,335 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 97A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 48.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 8500 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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APT32M80JMOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP Microchip Technology |
2,582 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 33A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 2.5mA | 303 nC @ 10 V | ±30V | 9326 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT47M60JMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP Microchip Technology |
5 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 49A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 2.5mA | 330 nC @ 10 V | ±30V | 13190 pF @ 25 V | - | 540W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT58F50JMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP Microchip Technology |
4,247 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 58A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 540W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT20M18LVFRGMOSFET N-CH 200V 100A TO264 Microchip Technology |
2,488 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | - | 18mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 2.5mA | 330 nC @ 10 V | - | 9880 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT8020B2FLLGMOSFET N-CH 800V 38A T-MAX Microchip Technology |
3,700 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 38A (Tc) | - | 220mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 2.5mA | 195 nC @ 10 V | - | 5200 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT50M75JLLU3MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 Microchip Technology |
3,035 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 51A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 1mA | 123 nC @ 10 V | ±30V | 5590 pF @ 25 V | - | 290W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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APT6010LFLLGMOSFET N-CH 600V 54A TO264 Microchip Technology |
2,273 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 54A (Tc) | - | 100mOhm @ 27A, 10V | 5V @ 2.5mA | 150 nC @ 10 V | - | 6710 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT12060LVFRGMOSFET N-CH 1200V 20A TO264 Microchip Technology |
4,956 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 20A (Tc) | - | 600mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 650 nC @ 10 V | - | 9500 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT12067LFLLGMOSFET N-CH 1200V 18A TO264 Microchip Technology |
2,153 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 18A (Tc) | - | 670mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 2.5mA | 150 nC @ 10 V | - | 4420 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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