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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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AUIRF2804L-313TRLMOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies |
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HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6450 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262-3 |
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AUXYBFP3306MOSFET N-CH 60V TO-247AC Infineon Technologies |
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- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUIRFSL4010-313TRLMOSFET N-CH 100V 180A TO262 Infineon Technologies |
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HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±8V | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262-3 |
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IRF8721TRPBF-1MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta) | 4.5V, 10V | 8.5mOhm @ 14A, 10V | 2.35V @ 25µA | 12 nC @ 4.5 V | ±20V | 1040 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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IRF7456TRPBF-1MOSFET N-CH 20V 16A 8SO Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 16A (Ta) | 2.8V, 10V | 6.5mOhm @ 16A, 10V | 2V @ 250µA | 62 nC @ 5 V | ±12V | 3640 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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IRLML0100TRPBF-1MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.6A (Ta) | 4.5V, 10V | 220mOhm @ 1.6A, 10V | 2.5V @ 25µA | 2.5 nC @ 4.5 V | ±16V | 290 pF @ 25 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro3™/SOT-23 |
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IRFC4019EBMOSFET N-CH 150V 17A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 17A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRF8113TRPBF-1MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 17.2A (Ta) | 4.5V, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | 2.2V @ 250µA | 36 nC @ 4.5 V | ±20V | 2910 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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IRF7455TRPBF-1MOSFET N-CH 30V 15A 8SO Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 15A (Ta) | 2.8V, 10V | 7.5mOhm @ 15A, 10V | 2V @ 250µA | 56 nC @ 5 V | ±12V | 3480 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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IRLML6402TRPBF-1MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3.7A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 65mOhm @ 3.7A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 12 nC @ 5 V | ±12V | 633 pF @ 10 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro3™/SOT-23 |
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