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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRFC120NBMOSFET 100V 9.4A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 9.4A | - | 210mOhm @ 9.4A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC130NBMOSFET 100V 17A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 17A | 10V | 90mOhm @ 17A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC250NBMOSFET 200V DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC5210BMOSFET 100V 40A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 40A | 10V | 60mOhm @ 40A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC5305BMOSFET 55V 31A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 31A | 10V | 60mOhm @ 31A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC9140NBMOSFET 100V 23A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 23A | 10V | 117mOhm @ 23A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC9120NBMOSFET 100V 6.6A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 6.6A | 10V | 480mOhm @ 6.6A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC024NBMOSFET 55V 17A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A | 10V | 75mOhm @ 17A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRF7413TRPBF-1MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta) | 4.5V, 10V | 11mOhm @ 7.3A, 10V | 3V @ 250µA | 79 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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IRF7478TRPBF-1MOSFET N-CH 60V 7A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 7A (Ta) | 4.5V, 10V | 26mOhm @ 4.2A, 10V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 4.5 V | ±20V | 1740 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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