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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRFC3810BMOSFET 100V 170A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 170A | 10V | 9mOhm @ 170A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRLC120NBMOSFET 100V 10A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A | 10V | 180mOhm @ 10A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC140NBMOSFET 100V 33A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A | 10V | 44mOhm @ 33A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRF7811AVTRPBF-1MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10.8A (Ta) | 4.5V | 14mOhm @ 15A, 4.5V | 3V @ 250µA | 26 nC @ 5 V | ±20V | 1801 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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IRFC4905BMOSFET 55V 42A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A | 10V | 20mOhm @ 42A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC3710DMOSFET 100V 57A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 57A | 10V | 23mOhm @ 57A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC230NBMOSFET 200V 9.3A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.3A | - | 300mOhm @ 9.3A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFCZ44VBMOSFET 60V 55A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 55A | 10V | 16.5mOhm @ 55A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC260NBMOSFET 200V 50A DIE Infineon Technologies |
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HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 50A | 10V | 40mOhm @ 50A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRF6216TRPBF-1MOSFET P-CH 150V 2.2A SOT223 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 2.2A (Ta) | 10V | 240mOhm @ 1.3A, 10V | 5V @ 250µA | 49 nC @ 10 V | ±20V | 1280 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
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