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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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ISK036N03LM5AULA1TRENCH <= 40V PG-VSON-6 Infineon Technologies |
4,873 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 6-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 44A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.6mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 21.5 nC @ 10 V | ±16V | 1400 pF @ 15 V | - | 11W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-6-1 |
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IPT039N15N5XTMA1TRENCH >=100V PG-HSOF-8 Infineon Technologies |
4,971 | - |
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OptiMOS™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 190A (Tc) | 8V, 10V | 3.9mOhm @ 50A, 10V | 4.6V @ 257µA | 98 nC @ 10 V | ±20V | 7700 pF @ 75 V | - | 319W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8 |
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IAUS300N04S4N007ATMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8 Infineon Technologies |
2,237 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | 8-PowerSMD, Gull Wing | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 300A (Tc) | 10V | 0.74mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 275µA | 342 nC @ 10 V | ±20V | 27356 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOG-8-1 |
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IMT65R022M1HXTMA1SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8 Infineon Technologies |
3,273 | - |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IMT65R039M1HXTMA1SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8 Infineon Technologies |
4,656 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPB80P03P405ATMA2MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3 Infineon Technologies |
2,456 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 253µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 25 V | - | 137W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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IPA65R190DEXKSA1MOSFET Infineon Technologies |
4,265 | - |
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* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPB042N10NF2SATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
4,682 | - |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUIRFU8403-701TRLMOSFET Infineon Technologies |
2,420 | - |
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HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 3.1mOhm @ 76A, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 nC @ 10 V | ±20V | 3171 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-21 |
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IRFU2405PBFAKLA1MOSFET N-CH Infineon Technologies |
2,186 | - |
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* | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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