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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRFR420TRPBFMOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 2.4A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 360 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
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IPD25DP06LMSAUMA1MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 6.5A (Tc) | 4.5V, 10V | 250mOhm @ 6.5A, 10V | 2V @ 270µA | 13.8 nC @ 10 V | ±20V | 420 pF @ 30 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
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IPB12CN10NGATMA2MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3 Infineon Technologies |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRF3717TRPBF-1MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 20A (Ta) | 4.5V, 10V | 4.4mOhm @ 20A, 10V | 2.45V @ 250µA | 33 nC @ 4.5 V | ±20V | 2890 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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IRLR8721TRPBF-1MOSFET N-CH 30V 65A DPAK Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 65A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.4mOhm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1030 pF @ 15 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
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SIPC69SN60C3X2SA2MOSFET Infineon Technologies |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SIPC10N65C3X1SA1MOSFET Infineon Technologies |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUXVNGP4062D-EIC DISCRETE Infineon Technologies |
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- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUXHKGP4062D-EIC DISCRETE Infineon Technologies |
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- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUXTIFR12N25DTRRIC DISCRETE Infineon Technologies |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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