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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPS06N03LA GMOSFET N-CH 25V 50A TO251-3 Infineon Technologies |
4,305 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.9mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 40µA | 22 nC @ 5 V | ±20V | 2653 pF @ 15 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPS09N03LA GMOSFET N-CH 25V 50A TO251-3 Infineon Technologies |
4,380 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.8mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 20µA | 13 nC @ 5 V | ±20V | 1642 pF @ 15 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPS13N03LA GMOSFET N-CH 25V 30A TO251-3 Infineon Technologies |
3,985 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 12.8mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 20µA | 8.3 nC @ 5 V | ±20V | 1043 pF @ 15 V | - | 46W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPS20N03L GMOSFET N-CH 30V 30A TO251-3 Infineon Technologies |
4,786 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 30A (Ta) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPU06N03LB GMOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 Infineon Technologies |
3,973 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.3mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 40µA | 22 nC @ 5 V | ±20V | 2800 pF @ 15 V | - | 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
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IPU09N03LB GMOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 Infineon Technologies |
3,507 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.3mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 20µA | 13 nC @ 5 V | ±20V | 1600 pF @ 15 V | - | 58W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-21 |
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IPW60R299CPFKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Infineon Technologies |
3,617 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 299mOhm @ 6.6A, 10V | 3.5V @ 440µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
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SIPC69N50C3X1SA2MOSFET COOL MOS SAWED WAFER Infineon Technologies |
2,562 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SN7002N E6327MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies |
2,963 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 200mA (Ta) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 1.8V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 45 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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SN7002N E6433MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies |
2,127 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 200mA (Ta) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 1.8V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 45 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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