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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRFL4310TRMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
- | TO-261-4, TO-261AA | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.6A (Ta) | - | 200mOhm @ 1.6A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | - | 330 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
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IRFP054NMOSFET N-CH 55V 81A TO247AC Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-247-3 | Bag | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 81A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 2900 pF @ 25 V | - | 170W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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GS-065-030-6-LT-MRGS-065-030-6-LT-MR Infineon Technologies Canada Inc. |
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IGT60R042D1ATMA1GAN HV Infineon Technologies |
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CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | - | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
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IGOT60R042D1AUMA2GANFET N-CH Infineon Technologies |
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- | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-87 |
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IGO60R042D1AUMA2GAN HV Infineon Technologies |
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CoolGaN™ | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | - | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-85 |
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IRLL2705TRMOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
- | TO-261-4, TO-261AA | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 3.8A (Ta) | - | 40mOhm @ 3.8A, 10V | 2V @ 250µA | 48 nC @ 10 V | - | 870 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
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GS66508T-MRGS66508T-MR Infineon Technologies Canada Inc. |
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- | Die | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A (Tc) | 6V | 63mOhm @ 9A, 6V | 2.6V @ 7mA | 5.8 nC @ 6 V | +7V, -10V | 260 pF @ 400 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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GS66508B-TRGS66508B-TR Infineon Technologies Canada Inc. |
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- | Die | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A (Tc) | 6V | 63mOhm @ 9A, 6V | 2.6V @ 7mA | 6.1 nC @ 6 V | +7V, -10V | 242 pF @ 400 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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GS66508T-TRGS66508T-TR Infineon Technologies Canada Inc. |
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- | Die | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A (Tc) | 6V | 63mOhm @ 9A, 6V | 2.6V @ 7mA | 5.8 nC @ 6 V | +7V, -10V | 260 pF @ 400 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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