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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPTC015N10NM5ATMA1MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP Infineon Technologies |
3,227 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 35A (Ta), 354A (Tc) | 6V, 10V | 1.5mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 275µA | 208 nC @ 10 V | ±20V | 16000 pF @ 50 V | - | 3.8W (Ta), 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-2 |
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SPW47N65C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3 Infineon Technologies |
2,534 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 47A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 30A, 10V | 3.9V @ 2.7mA | 255 nC @ 10 V | ±20V | 7000 pF @ 25 V | - | 415W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
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IRLMS5703TRMOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP Infineon Technologies |
3,346 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-23-6 | Cut Tape (CT) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2.3A (Ta) | - | 200mOhm @ 1.6A, 10V | 1V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | - | 170 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | Micro6™(SOT23-6) |
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IGT60R190D1SATMA1GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF Infineon Technologies |
3,744 | - |
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Tabla de datos |
CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 12.5A (Tc) | - | - | 1.6V @ 960µA | - | -10V | 157 pF @ 400 V | - | 55.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
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IRLMS6702TRMOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP Infineon Technologies |
2,069 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-23-6 | Cut Tape (CT) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.4A (Ta) | - | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 8.8 nC @ 4.5 V | - | 210 pF @ 15 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | Micro6™(SOT23-6) |
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IPZA60R024P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3 Infineon Technologies |
4,338 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ P7 | TO-247-4 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 101A (Tc) | 10V | 24mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 2.03mA | 164 nC @ 10 V | ±20V | 7144 pF @ 400 V | - | 291W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4-3 |
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GS66504B-TRGS66504B-TR Infineon Technologies Canada Inc. |
2,362 | - |
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- |
- | 3-SMD, No Lead | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 15A (Tc) | 6V | 130mOhm @ 4.5A, 6V | 1.3V @ 3.5mA | 3 nC @ 6 V | +7V, -10V | 130 pF @ 400 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | - |
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IRF450MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA Infineon Technologies |
3,801 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-204AA, TO-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 2700 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
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IRFP4568PBFMOSFET N-CH 150V 171A TO247AC Infineon Technologies |
3 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-247-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 171A (Tc) | 10V | 5.9mOhm @ 103A, 10V | 5V @ 250µA | 227 nC @ 10 V | ±30V | 10470 pF @ 50 V | - | 517W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IMSQ120R053M2HHXUMA1SIC DISCRETE Infineon Technologies |
4,828 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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