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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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BSB015N04NX3GXUMA1MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON Infineon Technologies |
2,873 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | 3-WDSON | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 36A (Ta), 180A (Tc) | 10V | 1.5mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 142 nC @ 10 V | ±20V | 12000 pF @ 20 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
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IPB60R360CFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3 Infineon Technologies |
2,914 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD7 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 2.9A, 10V | 4.5V @ 140µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 679 pF @ 400 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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IRFP9140NMOSFET P-CH 100V 23A TO247AC Infineon Technologies |
4,014 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-247-3 | Bag | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 23A (Tc) | 10V | 117mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 97 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IAUMN10S5N017GATMA1MOSFET_(75V 120V( Infineon Technologies |
3,908 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRFB42N20DMOSFET N-CH 200V 44A TO220AB Infineon Technologies |
4,168 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 44A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 26A, 10V | 5.5V @ 250µA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 3430 pF @ 25 V | - | 2.4W (Ta), 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRL1004LMOSFET N-CH 40V 130A TO262 Infineon Technologies |
3,581 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 130A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 78A, 10V | 1V @ 250µA | 100 nC @ 4.5 V | ±16V | 5330 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IRFH5007TR2PBFMOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN Infineon Technologies |
3,577 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerTDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 17A (Ta), 100A (Tc) | - | 5.9mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 150µA | 98 nC @ 10 V | - | 4290 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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IRLH5034TR2PBFMOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN Infineon Technologies |
4,892 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 29A (Ta), 100A (Tc) | - | 2.4mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 150µA | 82 nC @ 10 V | - | 4730 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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IRF2804STRLMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies |
4,610 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 2mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6450 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IRF2804STRRMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies |
3,177 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 2mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6450 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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