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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IAUMN10S5N016GATMA1MOSFET_(75V 120V( Infineon Technologies |
4,660 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRF1405ZSMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon Technologies |
4,669 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 4.9mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4780 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IRF1405ZLMOSFET N-CH 55V 75A TO262 Infineon Technologies |
2,895 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 4.9mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4780 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IRF6611TRPBFMOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Infineon Technologies |
2,402 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 32A (Ta), 150A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.6mOhm @ 27A, 10V | 2.25V @ 250µA | 56 nC @ 4.5 V | ±20V | 4860 pF @ 15 V | - | 3.9W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
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IGLD65R055D2AUMA1GANFET N-CH Infineon Technologies |
4,473 | - |
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- |
CoolGaN™ | 8-LDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 18A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | 6.6 nC @ 3 V | -10V | 330 pF @ 400 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-LSON-8-1 |
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IRF1407SMOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Infineon Technologies |
2,438 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 100A (Tc) | 10V | 7.8mOhm @ 78A, 10V | 4V @ 250µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 5600 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IRF1407LMOSFET N-CH 75V 100A TO262 Infineon Technologies |
4,678 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 100A (Tc) | 10V | 7.8mOhm @ 78A, 10V | 4V @ 250µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 5600 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IRL3803STRLPBFMOSFET N-CH 30V 140A D2PAK Infineon Technologies |
2,073 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 71A, 10V | 1V @ 250µA | 140 nC @ 4.5 V | ±16V | 5000 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IPB65R190C6ATMA1MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK Infineon Technologies |
2,437 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.2A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 3.5V @ 730µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1620 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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IRFH7191TRPBFMOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Infineon Technologies |
2,449 | - |
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Tabla de datos |
FASTIRFET™, HEXFET® | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 15A (Ta), 80A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 48A, 10V | 3.6V @ 100µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1685 pF @ 50 V | - | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PQFN (5x6) |
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