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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRFH5215TR2PBFMOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN Infineon Technologies |
2,234 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-VQFN Exposed Pad | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 5A (Ta), 27A (Tc) | - | 58mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 100µA | 32 nC @ 10 V | - | 1350 pF @ 50 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | PQFN (5x6) |
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IRFH5220TR2PBFMOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN Infineon Technologies |
3,917 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-VQFN Exposed Pad | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 3.8A (Ta), 20A (Tc) | - | 99.9mOhm @ 5.8A, 10V | 5V @ 100µA | 30 nC @ 10 V | - | 1380 pF @ 50 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | PQFN (5x6) |
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IPB65R310CFDATMA1MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK Infineon Technologies |
4,885 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11.4A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 400µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 104.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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IPD65R250C6XTMA1MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3 Infineon Technologies |
4,672 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 16.1A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 400µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 950 pF @ 100 V | - | 208.3W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
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IPD65R250E6XTMA1MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3 Infineon Technologies |
3,702 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ E6 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 16.1A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 400µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 950 pF @ 1000 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
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BSC010N04LSCATMA1MOSFET N-CH 40V 282A Infineon Technologies |
2,496 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 282A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.05mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 250µA | 133 nC @ 10 V | ±20V | 9500 pF @ 20 V | - | 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - | - |
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IAUMN08S5N012GATMA1MOSFET_(75V 120V( Infineon Technologies |
2,384 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRL1004MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB Infineon Technologies |
2,798 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 130A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 78A, 10V | 1V @ 250µA | 100 nC @ 4.5 V | ±16V | 5330 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFI4905MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP Infineon Technologies |
4,805 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 41A (Tc) | 10V | 20mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 3400 pF @ 25 V | - | 63W (Tc) | - | - | - | Through Hole | TO-220AB Full-Pak |
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IRF3515LMOSFET N-CH 150V 41A TO262 Infineon Technologies |
2,618 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 41A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250µA | 107 nC @ 10 V | ±30V | 2260 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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