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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPP120N10S405AKSA1MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
3,192 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 10V | 5.3mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 120µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6540 pF @ 25 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPP06CN10N GMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
3,153 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 100A (Tc) | 10V | 6.5mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 180µA | 139 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 50 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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SPP80N04S2-04MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
3,482 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6980 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IRFP4229PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
2,336 | - |
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- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 44A (Tc) | 10V | 46mOhm @ 26A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 4560 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IRF640NLMOSFET N-CH 200V 18A TO262 Infineon Technologies |
2,688 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 18A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 1160 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IRF4104MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Infineon Technologies |
4,435 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 5.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SPP15N60CFDHKSA1MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3 Infineon Technologies |
2,372 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 13.4A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 9.4A, 10V | 5V @ 750µA | 84 nC @ 10 V | ±20V | 1820 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IRL3102SMOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Infineon Technologies |
5,000 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 61A (Tc) | 4.5V, 7V | 13mOhm @ 37A, 7V | 700mV @ 250µA (Min) | 58 nC @ 4.5 V | ±10V | 2500 pF @ 15 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IRLR8113MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Infineon Technologies |
2,768 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 94A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 32 nC @ 4.5 V | ±20V | 2920 pF @ 15 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
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IPP027N08N5XKSA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
2,844 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 120A (Tc) | 6V, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 154µA | 123 nC @ 10 V | ±20V | 8970 pF @ 40 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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