Hola!! Ahora
+8619886240609(Alice)
+8619886240609(Alice)
Mi cuenta
FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IQE018N06NM6CGATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
3,761 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
IQE018N06NM6ATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
4,387 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
IRF3315LPBFMOSFET N-CH 150V 21A TO262 Infineon Technologies |
4,093 | - |
|
Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 21A (Tc) | 10V | 82mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
IPP65R660CFDAAKSA1MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 Infineon Technologies |
4,903 | - |
|
Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 6A (Tc) | 10V | 660mOhm @ 3.2A, 10V | 4.5V @ 200µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 543 pF @ 100 V | - | 62.5W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IRF7422D2TRPBFMOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO Infineon Technologies |
3,135 | - |
|
Tabla de datos |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.3A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 22 nC @ 4.5 V | ±12V | 610 pF @ 15 V | Schottky Diode (Isolated) | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IPD079N06L3GBTMA1MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Infineon Technologies |
2,507 | - |
|
Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.9mOhm @ 50A, 10V | 2.2V @ 34µA | 29 nC @ 4.5 V | ±20V | 4900 pF @ 30 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IRFH5206TRPBFMOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN Infineon Technologies |
4,316 | - |
|
Tabla de datos |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 16A (Ta), 89A (Tc) | 10V | 6.7mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 100µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 2490 pF @ 25 V | - | 3.6W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
IRF6645MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Infineon Technologies |
4,390 | - |
|
Tabla de datos |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric SJ | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 5.7A (Ta), 25A (Tc) | 10V | 35mOhm @ 5.7A, 10V | 4.9V @ 50µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 890 pF @ 25 V | - | 3W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ SJ |
|
IRF9520NSTRRMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK Infineon Technologies |
4,379 | - |
|
Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 6.8A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IQE036N08NM6CGATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
4,416 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
- Envío rápido La puerta rápida y convenienteEntrega a domicilio.
- Seguridad de pago Más de 5 diferentes métodos de pago seguro.
- Estricto Control de calidad 365 días de servicio post-venta y garantía
- Simple y profesional Soluciones de adquisición electrónica integral.
