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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IMBG65R009M1HXTMA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
2,852 | - |
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Tabla de datos |
CoolSiC™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 170A (Tc) | 18V | 13.6mOhm @ 97.2A, 18V | 5.7V @ 32.4mA | 176 nC @ 18 V | +23V, -5V | 6054 pF @ 400 V | - | 555W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7 |
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FF2000XTR17IE5BPSA1PP IHM I Infineon Technologies |
1 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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DD1600S33HE4BPSA1IHV IHM T Infineon Technologies |
4,826 | - |
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- |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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2N7002L6327HTSA1MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies |
2,449 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 300mA (Ta) | 4.5V, 10V | 3Ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 nC @ 10 V | ±20V | 20 pF @ 25 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23-PO |
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BSS138NL6433HTMA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies |
3,150 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 230mA (Ta) | 4.5V, 10V | 3.5Ohm @ 230mA, 10V | 1.4V @ 250µA | 1.4 nC @ 10 V | ±20V | 41 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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SN7002NL6433HTMA1MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies |
2,867 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 200mA (Ta) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 1.8V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 45 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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SN7002W E6433MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 Infineon Technologies |
4,797 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 230mA (Ta) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 230mA, 10V | 1.8V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 45 pF @ 25 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT323 |
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BSS84PL6433HTMA1MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies |
2,237 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 170mA (Ta) | 4.5V, 10V | 8Ohm @ 170mA, 10V | 2V @ 20µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 19 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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BSS138N E8004MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies |
3,560 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 230mA (Ta) | 4.5V, 10V | 3.5Ohm @ 230mA, 10V | 1.4V @ 250µA | 1.4 nC @ 10 V | ±20V | 41 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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BSS138W E6433MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Infineon Technologies |
2,758 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 280mA (Ta) | 4.5V, 10V | 3.5Ohm @ 220mA, 10V | 1.4V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 43 pF @ 25 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT323 |
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