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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    SH8JB5TB1

    SH8JB5TB1

    MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    11,409
    RFQ
    SH8JB5TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 40V 8.5A (Ta) 15.3mOhm @ 8.5A, 10V 2.5V @ 1mA 51nC @ 10V 2870pF @ 20V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8JC5TB1

    SH8JC5TB1

    MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    4,768
    RFQ
    SH8JC5TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 60V 7.5A (Ta) 32mOhm @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 50nC @ 10V 2630pF @ 30V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UM6K31NFHATCN

    UM6K31NFHATCN

    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

    Rohm Semiconductor

    2,115
    RFQ
    UM6K31NFHATCN

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 250mA (Ta) 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.3V @ 1mA - 15pF @ 25V 150mW 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount UMT6
    UM6K1NTN

    UM6K1NTN

    MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6

    Rohm Semiconductor

    240,129
    RFQ
    UM6K1NTN

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 100mA 8Ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100µA - 13pF @ 5V 150mW 150°C (TJ) - - Surface Mount UMT6
    EM6M1T2R

    EM6M1T2R

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.1A EMT6

    Rohm Semiconductor

    15,745
    RFQ
    EM6M1T2R

    Tabla de datos

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 100mA, 200mA 8Ohm @ 10mA, 4V - 0.9nC @ 4.5V 13pF @ 5V 150mW 150°C (TJ) - - Surface Mount EMT6
    QH8KA2TCR

    QH8KA2TCR

    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,805
    RFQ
    QH8KA2TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 4.5A (Ta) 35mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 10V 365pF @ 10V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    US6J11TR

    US6J11TR

    MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    5,856
    RFQ
    US6J11TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 1.3A 260mOhm @ 1.3A, 4.5V 1V @ 1mA 2.4nC @ 4.5V 290pF @ 6V 320mW 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    QH8MA2TCR

    QH8MA2TCR

    MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    1,393
    RFQ
    QH8MA2TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 4.5A, 3A 35mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 10V 365pF @ 10V 1.25W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QS6M4TR

    QS6M4TR

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    9,285
    RFQ
    QS6M4TR

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 1.5A 230mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 1.6nC @ 4.5V 80pF @ 10V 1.25W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    QH8KA1TCR

    QH8KA1TCR

    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,552
    RFQ
    QH8KA1TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 30V 4.5A 73mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3nC @ 10V 125pf @ 15V 2.4W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
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