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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    US6K2TR

    US6K2TR

    MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    5,397
    RFQ
    US6K2TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 1.4A 240mOhm @ 1.4A, 10V 2.5V @ 1mA 2nC @ 5V 70pF @ 10V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    QH8K22TCR

    QH8K22TCR

    MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    16,061
    RFQ
    QH8K22TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 6.5A (Ta) 46mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 10µA 2.6nC @ 10V 195pF @ 20V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    SH8MA2GZETB

    SH8MA2GZETB

    MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    3,081
    RFQ
    SH8MA2GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 4.5A (Ta) 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3nC @ 4.5V, 6.7nC @ 4.5V 125pF @ 15V, 305pF @ 15V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    QH8KB5TCR

    QH8KB5TCR

    MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    3,028
    RFQ
    QH8KB5TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 4.5A (Ta) 44mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 10V 150pF @ 20V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QH8MA3TCR

    QH8MA3TCR

    MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    3,000
    RFQ
    QH8MA3TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 7A, 5.5A 29mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V 300pF @ 15V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    SH8KA1GZETB

    SH8KA1GZETB

    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    7,253
    RFQ
    SH8KA1GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 4.5A (Ta) 80mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3nC @ 10V 125pf @ 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UT6JA2TCR

    UT6JA2TCR

    MOSFET 2P-CH 30V 4A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    11,665
    RFQ
    UT6JA2TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active - 2 P-Channel (Dual) - 30V 4A 70mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V 305pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    QS8M31TR

    QS8M31TR

    MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    6,093
    RFQ
    QS8M31TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V 270pF @ 10V, 750pF @ 10V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    UT6JB5TCR

    UT6JB5TCR

    MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    1,744
    RFQ
    UT6JB5TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 40V 3.5A (Ta) 122mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 6.2nC @ 10V 265pF @ 20V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    SH8K26GZ0TB

    SH8K26GZ0TB

    MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,156
    RFQ
    SH8K26GZ0TB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 6A (Ta) 38mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 2.9nC @ 5V 280pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
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