Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDS89161

    FDS89161

    MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

    onsemi

    9,535
    RFQ
    FDS89161

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 2.7A 105mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 4.1nC @ 10V 210pF @ 50V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMQ8203

    FDMQ8203

    MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP

    onsemi

    3,055
    RFQ
    FDMQ8203

    Tabla de datos

    GreenBridge™ PowerTrench® 12-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Logic Level Gate 100V, 80V 3.4A, 2.6A 110mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V 210pF @ 50V, 850pF @ 40V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
    NDS9945

    NDS9945

    MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

    onsemi

    5,219
    RFQ
    NDS9945

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 3.5A 100mOhm @ 3.5A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 345pF @ 25V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS3890

    FDS3890

    MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC

    onsemi

    1,507
    RFQ
    FDS3890

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 80V 4.7A 44mOhm @ 4.7A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 1180pF @ 40V 900mW -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NVMFD5C672NLT1G

    NVMFD5C672NLT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN

    onsemi

    1,514
    RFQ
    NVMFD5C672NLT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 12A (Ta), 49A (Tc) 11.9mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 30µA 5.7nC @ 4.5V 793pF @ 25V 3.1W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    FDS89141

    FDS89141

    MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC

    onsemi

    21,070
    RFQ
    FDS89141

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 3.5A 62mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 7.1nC @ 10V 398pF @ 50V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMQ86530L

    FDMQ86530L

    MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

    onsemi

    4,411
    RFQ
    FDMQ86530L

    Tabla de datos

    GreenBridge™ PowerTrench® 12-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) Logic Level Gate 60V 8A 17.5mOhm @ 8A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 2295pF @ 30V 1.9W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
    NVMFD5C650NLWFT1G

    NVMFD5C650NLWFT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN

    onsemi

    1,500
    RFQ
    NVMFD5C650NLWFT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 4.2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 98µA 16nC @ 4.5V 2546pF @ 25V 3.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    FDMS8090

    FDMS8090

    MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP

    onsemi

    1,042
    RFQ
    FDMS8090

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 10A 13mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 27nC @ 10V 1800pF @ 50V 2.2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
    NXH010P120MNF1PNG

    NXH010P120MNF1PNG

    MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    onsemi

    35
    RFQ
    NXH010P120MNF1PNG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 14mOhm @ 100A, 20V 4.3V @ 40mA 454nC @ 20V 4707pF @ 800V 250W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    Total 962 Record«Prev12345678...97Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios