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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDME1034CZT

    FDME1034CZT

    MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET

    onsemi

    1,861
    RFQ
    FDME1034CZT

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-UFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 3.8A, 2.6A 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V 300pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
    EFC3J018NUZTDG

    EFC3J018NUZTDG

    MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

    onsemi

    19,908
    RFQ
    EFC3J018NUZTDG

    Tabla de datos

    - 6-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 23A (Ta) 4.7mOhm @ 5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 75nC @ 4.5V - 2.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WLCSP (1.77x3.05)
    FDS8949

    FDS8949

    MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC

    onsemi

    11,930
    RFQ
    FDS8949

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 6A 29mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 11nC @ 5V 955pF @ 20V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMB3800N

    FDMB3800N

    MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

    onsemi

    4,430
    RFQ
    FDMB3800N

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.8A 40mOhm @ 4.8A, 10V 3V @ 250µA 5.6nC @ 5V 465pF @ 15V 750mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
    FDMA1024NZ

    FDMA1024NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

    onsemi

    5,242
    RFQ
    FDMA1024NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5A 54mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 7.3nC @ 4.5V 500pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDS89161LZ

    FDS89161LZ

    MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

    onsemi

    3,193
    RFQ
    FDS89161LZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 2.7A 105mOhm @ 2.7A, 10V 2.2V @ 250µA 5.3nC @ 10V 302pF @ 50V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDC8602

    FDC8602

    MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6

    onsemi

    10,518
    RFQ
    FDC8602

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 1.2A 350mOhm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 2nC @ 10V 70pF @ 50V 690mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDS6890A

    FDS6890A

    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

    onsemi

    10,002
    RFQ
    FDS6890A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7.5A 18mOhm @ 7.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 32nC @ 4.5V 2130pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ECH8690-TL-H

    ECH8690-TL-H

    MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH

    onsemi

    10,211
    RFQ
    ECH8690-TL-H

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 60V 4.7A, 3.5A 55mOhm @ 2A, 10V - 18nC @ 10V 955pF @ 20V, 790pF @ 20V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    FDS3992

    FDS3992

    MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC

    onsemi

    7,201
    RFQ
    FDS3992

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 4.5A 62mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 15nC @ 10V 750pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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