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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDMA2002NZ

    FDMA2002NZ

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

    onsemi

    6,511
    RFQ
    FDMA2002NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.9A 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 3nC @ 4.5V 220pF @ 15V 650mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDC6327C

    FDC6327C

    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6

    onsemi

    21,240
    RFQ
    FDC6327C

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.7A, 1.9A 80mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 325pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDMA3023PZ

    FDMA3023PZ

    MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

    onsemi

    18,117
    RFQ
    FDMA3023PZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.9A 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 4.5V 530pF @ 15V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDS4559

    FDS4559

    MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC

    onsemi

    25,598
    RFQ
    FDS4559

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 60V 4.5A, 3.5A 55mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 18nC @ 10V 650pF @ 25V, 759pF @ 25V 1W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDME1024NZT

    FDME1024NZT

    MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET

    onsemi

    126
    RFQ
    FDME1024NZT

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-UFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.8A 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V 300pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
    FDS4935BZ

    FDS4935BZ

    MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC

    onsemi

    10,412
    RFQ
    FDS4935BZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.9A 22mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V 1360pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMA1028NZ

    FDMA1028NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    onsemi

    15,173
    RFQ
    FDMA1028NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.7A 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6nC @ 4.5V 340pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    NTHD4102PT1G

    NTHD4102PT1G

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

    onsemi

    41,871
    RFQ
    NTHD4102PT1G

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.9A 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8.6nC @ 4.5V 750pF @ 16V 1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    FDMA1032CZ

    FDMA1032CZ

    MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    onsemi

    30,419
    RFQ
    FDMA1032CZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 3.7A, 3.1A 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6nC @ 4.5V 340pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDS4935A

    FDS4935A

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

    onsemi

    18,774
    RFQ
    FDS4935A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7A 23mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 21nC @ 5V 1233pF @ 15V 900mW -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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