Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDMA2002NZ

    FDMA2002NZ

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

    onsemi

    6,511
    RFQ
    FDMA2002NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.9A 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 3nC @ 4.5V 220pF @ 15V 650mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDC6327C

    FDC6327C

    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6

    onsemi

    21,240
    RFQ
    FDC6327C

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.7A, 1.9A 80mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 325pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDMA3023PZ

    FDMA3023PZ

    MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

    onsemi

    18,117
    RFQ
    FDMA3023PZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.9A 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 4.5V 530pF @ 15V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDS4559

    FDS4559

    MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC

    onsemi

    25,598
    RFQ
    FDS4559

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 60V 4.5A, 3.5A 55mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 18nC @ 10V 650pF @ 25V, 759pF @ 25V 1W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDME1024NZT

    FDME1024NZT

    MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET

    onsemi

    126
    RFQ
    FDME1024NZT

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-UFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.8A 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V 300pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
    FDS4935BZ

    FDS4935BZ

    MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC

    onsemi

    10,412
    RFQ
    FDS4935BZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.9A 22mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V 1360pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMA1028NZ

    FDMA1028NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    onsemi

    15,173
    RFQ
    FDMA1028NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.7A 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6nC @ 4.5V 340pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    NTHD4102PT1G

    NTHD4102PT1G

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

    onsemi

    41,871
    RFQ
    NTHD4102PT1G

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.9A 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8.6nC @ 4.5V 750pF @ 16V 1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    FDMA1032CZ

    FDMA1032CZ

    MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    onsemi

    30,419
    RFQ
    FDMA1032CZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 3.7A, 3.1A 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6nC @ 4.5V 340pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDS4935A

    FDS4935A

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

    onsemi

    18,774
    RFQ
    FDS4935A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7A 23mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 21nC @ 5V 1233pF @ 15V 900mW -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    Total 962 Record«Prev123456...97Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios