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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NDC7003P

    NDC7003P

    MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6

    onsemi

    7,659
    RFQ
    NDC7003P

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 340mA 5Ohm @ 340mA, 10V 3.5V @ 250µA 2.2nC @ 10V 66pF @ 25V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    NTGD3148NT1G

    NTGD3148NT1G

    MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

    onsemi

    8,952
    RFQ
    NTGD3148NT1G

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3A 70mOhm @ 3.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.8nC @ 4.5V 300pF @ 10V 900mW -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    FDC6306P

    FDC6306P

    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

    onsemi

    6,833
    RFQ
    FDC6306P

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.9A 170mOhm @ 1.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V 441pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDC3601N

    FDC3601N

    MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6

    onsemi

    3,119
    RFQ
    FDC3601N

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 1A 500mOhm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V 153pF @ 50V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    NTGD4167CT1G

    NTGD4167CT1G

    MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP

    onsemi

    1,166,814
    RFQ
    NTGD4167CT1G

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.6A, 1.9A 90mOhm @ 2.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 5.5nC @ 4.5V 295pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    ECH8697R-TL-W

    ECH8697R-TL-W

    MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28

    onsemi

    5,098
    RFQ
    ECH8697R-TL-W

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 24V 10A 11.6mOhm @ 5A, 4.5V - 6nC @ 4.5V - 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-28FL/ECH8
    FDC6310P

    FDC6310P

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6

    onsemi

    3,175
    RFQ
    FDC6310P

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.2A 125mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 5.2nC @ 4.5V 337pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDC6420C

    FDC6420C

    MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6

    onsemi

    5,901
    RFQ
    FDC6420C

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 3A, 2.2A 70mOhm @ 3A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V 324pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDS9945

    FDS9945

    MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

    onsemi

    4,807
    RFQ
    FDS9945

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 3.5A 100mOhm @ 3.5A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 5V 420pF @ 30V 1W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ECH8657-TL-H

    ECH8657-TL-H

    MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH

    onsemi

    4,473
    RFQ
    ECH8657-TL-H

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 35V 4.5A 59mOhm @ 2A, 10V - 4.5nC @ 10V 230pF @ 20V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
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