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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NTLUD3A50PZTAG

    NTLUD3A50PZTAG

    MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN

    onsemi

    1,980
    RFQ
    NTLUD3A50PZTAG

    Tabla de datos

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.8A 50mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 10.4nC @ 4.5V 920pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (2x2)
    NTMD4820NR2G

    NTMD4820NR2G

    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

    onsemi

    4,825
    RFQ
    NTMD4820NR2G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.9A 20mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 7.7nC @ 4.5V 940pF @ 15V 750mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    EFC2K102NUZTDG

    EFC2K102NUZTDG

    MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP

    onsemi

    4,895
    RFQ

    -

    - 10-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 12V 33A (Ta) 2.65mOhm @ 5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 42nC @ 3.8V - 3.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-WLCSP (2.98x1.49)
    FDME1023PZT

    FDME1023PZT

    MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

    onsemi

    6,397
    RFQ
    FDME1023PZT

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-UFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.6A 142mOhm @ 2.3A, 4.5V 1V @ 250µA 7.7nC @ 4.5V 405pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
    FDMB2307NZ

    FDMB2307NZ

    MOSFET 2N-CH 6MLP

    onsemi

    8,875
    RFQ
    FDMB2307NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate - - - - 28nC @ 5V - 800mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MLP (2x3)
    FDS4897C

    FDS4897C

    MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC

    onsemi

    890
    RFQ
    FDS4897C

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 40V 6.2A, 4.4A 29mOhm @ 6.2A, 10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V 760pF @ 20V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMS3686S

    FDMS3686S

    MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

    onsemi

    3,644
    RFQ
    FDMS3686S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 13A, 23A 8mOhm @ 13A, 10V 2.7V @ 250µA 29nC @ 10V 1785pF @ 10V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    FDS6986AS

    FDS6986AS

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC

    onsemi

    7,335
    RFQ
    FDS6986AS

    Tabla de datos

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.5A, 7.9A 29mOhm @ 6.5A, 10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V 720pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    EFC8811R-TF

    EFC8811R-TF

    MOSFET 2N-CH 6CSP

    onsemi

    13,124
    RFQ
    EFC8811R-TF

    Tabla de datos

    - 6-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - - - 2.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
    FDMC8032L

    FDMC8032L

    MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33

    onsemi

    2,444
    RFQ
    FDMC8032L

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 7A 20mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V 720pF @ 20V 1.9W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-Power33 (3x3)
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