Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDG6335N

    FDG6335N

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88

    onsemi

    13,396
    RFQ
    FDG6335N

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 700mA 300mOhm @ 700mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.4nC @ 4.5V 113pF @ 10V 300mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    NTMD6N03R2G

    NTMD6N03R2G

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

    onsemi

    4,002
    RFQ
    NTMD6N03R2G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A 32mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V 950pF @ 24V 1.29W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS6892A

    FDS6892A

    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

    onsemi

    3,937
    RFQ
    FDS6892A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7.5A 18mOhm @ 7.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1333pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FW256-TL-E-ON

    FW256-TL-E-ON

    MOSFET N-CH

    onsemi

    41,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDPC3D5N025X9D

    FDPC3D5N025X9D

    MOSFET 2N-CH 25V 74A 12PQFN

    onsemi

    2,679
    RFQ
    FDPC3D5N025X9D

    Tabla de datos

    - 12-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 25V 74A 3.01mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 24nC @ 4.5V 3340pF @ 13V 26W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-PQFN (3.3x3.3)
    FDG1024NZ

    FDG1024NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88

    onsemi

    13,774
    RFQ
    FDG1024NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.2A 175mOhm @ 1.2A, 4.5V 1V @ 250µA 2.6nC @ 4.5V 150pF @ 10V 300mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    FDMA1023PZ-F106

    FDMA1023PZ-F106

    MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    onsemi

    2,584
    RFQ
    FDMA1023PZ-F106

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 3.7A (Ta) 72mOhm @ 3.7A, 4.5V 1V @ 250µA 12nC @ 4.5V 655pF @ 10V 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    EFC4621R-TR

    EFC4621R-TR

    MOSFET 2N-CH EFCP1616

    onsemi

    10,000
    RFQ
    EFC4621R-TR

    Tabla de datos

    - 4-XFBGA, FCBGA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 29nC @ 4.5V - 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount EFCP1616-4CE-022
    FDMS1D2N03DSD

    FDMS1D2N03DSD

    MOSFET 2N-CH 30V 19A 8PQFN

    onsemi

    2,885
    RFQ
    FDMS1D2N03DSD

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA 33nC @ 10V, 117nC @ 10V 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    EFC4C012NLTDG

    EFC4C012NLTDG

    MOSFET 2N-CH 30V 30A 6WLCSP

    onsemi

    4,674
    RFQ
    EFC4C012NLTDG

    Tabla de datos

    - 6-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - - - - 2.2V @ 1mA 18nC @ 4.5V - 2.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WLCSP (3.5x1.9)
    Total 962 Record«Prev1... 4243444546474849...97Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios