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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDG6321C

    FDG6321C

    MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88

    onsemi

    14,550
    RFQ
    FDG6321C

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 25V 500mA, 410mA 450mOhm @ 500mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.3nC @ 4.5V 50pF @ 10V 300mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    EFC6605R-TR

    EFC6605R-TR

    MOSFET 2N-CH 6EFCP

    onsemi

    8,638
    RFQ
    EFC6605R-TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 19.8nC @ 4.5V - 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-EFCP (1.9x1.46)
    FW274-TL-E

    FW274-TL-E

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

    onsemi

    2,679
    RFQ
    FW274-TL-E

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A 37mOhm @ 6A, 10V 2.6V @ 1mA 9.1nC @ 10V 490pF @ 10V 2.2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88

    onsemi

    3,362
    RFQ
    FDG8850NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 750mA 400mOhm @ 750mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.44nC @ 4.5V 120pF @ 10V 300mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    FDG6304P

    FDG6304P

    MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88

    onsemi

    1,703
    RFQ
    FDG6304P

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 410mA 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.5nC @ 4.5V 62pF @ 10V 300mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    FDMS9600S

    FDMS9600S

    MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8MLP

    onsemi

    4,355
    RFQ
    FDMS9600S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 12A, 16A 8.5mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1705pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
    FDMS3600AS

    FDMS3600AS

    MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56

    onsemi

    3,151
    RFQ
    FDMS3600AS

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 15A, 30A 5.6mOhm @ 15A, 10V 2.7V @ 250µA 27nC @ 10V 1770pF @ 13V 2.2W, 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    FW356-TL-E

    FW356-TL-E

    MOSFET N/P-CH 60V 5A 8SOP

    onsemi

    2,000
    RFQ
    FW356-TL-E

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 145mOhm @ 2A, 10V 2.6V @ 1mA 22nC @ 10V 990pF @ 20V 2.3W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    FDMA1025P

    FDMA1025P

    MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

    onsemi

    2,875
    RFQ
    FDMA1025P

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.1A 155mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 450pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    EFC4K110NUZTDG

    EFC4K110NUZTDG

    MOSFET 2N-CH 24V 25A 10WLCSP

    onsemi

    3,691
    RFQ
    EFC4K110NUZTDG

    Tabla de datos

    - 10-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 24V 25A - - 49nC @ 4.5V - 2.5W - - - Surface Mount 10-WLCSP (3.2x2.1)
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