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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDSS2407

    FDSS2407

    MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC

    onsemi

    4,795
    RFQ
    FDSS2407

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 62V 3.3A 110mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 4.3nC @ 5V 300pF @ 15V 2.27W -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    FDS9958-F085

    FDS9958-F085

    MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC

    onsemi

    4,738
    RFQ
    FDS9958-F085

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 2.9A 105mOhm @ 2.9A, 10V 3V @ 250µA 23nC @ 10V 1020pF @ 30V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    NVMFD5C470NLWFT1G

    NVMFD5C470NLWFT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN

    onsemi

    4,303
    RFQ
    NVMFD5C470NLWFT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 11A (Ta), 36A (Tc) 11.5mOhm @ 5A, 10V 2.2V @ 20µA 4nC @ 4.5V 590pF @ 25V 3W (Ta), 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    FDS4501H

    FDS4501H

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC

    onsemi

    4,948
    RFQ
    FDS4501H

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 9.3A, 5.6A 18mOhm @ 9.3A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 4.5V 1958pF @ 10V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDMS7620S-F106

    FDMS7620S-F106

    MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56

    onsemi

    3,000
    RFQ
    FDMS7620S-F106

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 10.1A, 12.4A 20mOhm @ 10.1A, 10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V 608pF @ 15V 1W - - - Surface Mount Power56
    NVMFD5489NLWFT1G

    NVMFD5489NLWFT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN

    onsemi

    2,602
    RFQ
    NVMFD5489NLWFT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 4.5A 65mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 12.4nC @ 10V 330pF @ 25V 3W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NTL4502NT1

    NTL4502NT1

    MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16QFN

    onsemi

    4,104
    RFQ
    NTL4502NT1

    Tabla de datos

    - 16-PowerQFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) Logic Level Gate 24V 11.4A 11mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1605pF @ 20V 1.7W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 16-QFN-FBIP (10.5x10.5)
    NTHC5513T1G

    NTHC5513T1G

    MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

    onsemi

    2,520
    RFQ
    NTHC5513T1G

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.9A, 2.2A 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 180pF @ 10V 1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    NTMFD4C88NT1G

    NTMFD4C88NT1G

    MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN

    onsemi

    4,712
    RFQ
    NTMFD4C88NT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 30V 11.7A, 14.2A 5.4mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 22.2nC @ 10V 1252pF @ 15V 1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    FDS6875

    FDS6875

    MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC

    onsemi

    3,249
    RFQ
    FDS6875

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6A 30mOhm @ 6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 31nC @ 5V 2250pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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