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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    APTC60DDAM35T3G

    APTC60DDAM35T3G

    MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3

    Microchip Technology

    4,474
    RFQ
    APTC60DDAM35T3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 600V 72A 35mOhm @ 72A, 10V 3.9V @ 5.4mA 518nC @ 10V 14000pF @ 25V 416W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM50DDAM65T3G

    APTM50DDAM65T3G

    MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

    Microchip Technology

    4,308
    RFQ
    APTM50DDAM65T3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 500V 51A 78mOhm @ 25.5A, 10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V 7000pF @ 25V 390W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    MSCSM70AM19CT1AG

    MSCSM70AM19CT1AG

    MOSFET 2N-CH 700V 124A SP1F

    Microchip Technology

    4,703
    RFQ
    MSCSM70AM19CT1AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP1F
    APTC60HM70BT3G

    APTC60HM70BT3G

    MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

    Microchip Technology

    2,587
    RFQ
    APTC60HM70BT3G

    Tabla de datos

    CoolMOS™ SP3 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) Logic Level Gate 600V 39A 70mOhm @ 39A, 10V 3.9V @ 2.7mA 259nC @ 10V 700pF @ 25V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM50H10FT3G

    APTM50H10FT3G

    MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

    Microchip Technology

    4,388
    RFQ
    APTM50H10FT3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 500V 37A 120mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 1mA 96nC @ 10V 4367pF @ 25V 312W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTC60DHM24T3G

    APTC60DHM24T3G

    MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

    Microchip Technology

    3,062
    RFQ
    APTC60DHM24T3G

    Tabla de datos

    CoolMOS™ SP3 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 600V 95A 24mOhm @ 47.5A, 10V 3.9V @ 5mA 300nC @ 10V 14400pF @ 25V 462W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM50HM75FT3G

    APTM50HM75FT3G

    MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3

    Microchip Technology

    4,476
    RFQ
    APTM50HM75FT3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 500V 46A 90mOhm @ 23A, 10V 5V @ 2.5mA 123nC @ 10V 5600pF @ 25V 357W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTC60DDAM24T3G

    APTC60DDAM24T3G

    MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

    Microchip Technology

    4,979
    RFQ
    APTC60DDAM24T3G

    Tabla de datos

    CoolMOS™ SP3 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N Channel (Dual Buck Chopper) - 600V 95A 24mOhm @ 47.5A, 10V 3.9V @ 5mA 300nC @ 10V 14400pF @ 25V 462W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTC60VDAM24T3G

    APTC60VDAM24T3G

    MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

    Microchip Technology

    3,466
    RFQ
    APTC60VDAM24T3G

    Tabla de datos

    CoolMOS™ SP3 Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 600V 95A 24mOhm @ 47.5A, 10V 3.9V @ 5mA 300nC @ 10V 14400pF @ 25V 462W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTC60BBM24T3G

    APTC60BBM24T3G

    MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

    Microchip Technology

    3,394
    RFQ
    APTC60BBM24T3G

    Tabla de datos

    CoolMOS™ SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 600V 95A 24mOhm @ 47.5A, 10V 3.9V @ 5mA 300nC @ 10V 14400pF @ 25V 462W -40°C ~ 150°C (TJ) - - - SP3
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