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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    APTC80A15SCTG

    APTC80A15SCTG

    MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTC80A15SCTG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 800V 28A 150mOhm @ 14A, 10V 3.9V @ 2mA 180nC @ 10V 4507pF @ 25V 277W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTC80A10SCTG

    APTC80A10SCTG

    MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTC80A10SCTG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 800V 42A 100mOhm @ 21A, 10V 3.9V @ 3mA 273nC @ 10V 6761pF @ 25V 416W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    MSCC60VRM99CT3AG

    MSCC60VRM99CT3AG

    MOSFET 600V 19A SP3F

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCC60VRM99CT3AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active - - - 600V 19A (Tc) - - - - - - - - Chassis Mount SP3F
    APTM20AM10FTG

    APTM20AM10FTG

    MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM20AM10FTG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 200V 175A 12mOhm @ 87.5A, 10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V 13700pF @ 25V 694W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTM20HM20FTG

    APTM20HM20FTG

    MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM20HM20FTG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 200V 89A 24mOhm @ 44.5A, 10V 5V @ 2.5mA 112nC @ 10V 6850pF @ 25V 357W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTM10HM09FT3G

    APTM10HM09FT3G

    MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM10HM09FT3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 100V 139A 10mOhm @ 69.5A, 10V 4V @ 2.5mA 350nC @ 10V 9875pF @ 25V 390W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM08TAM04PG

    APTM08TAM04PG

    MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM08TAM04PG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 120A 4.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 153nC @ 10V 4530pF @ 25V 138W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    APTM100H45FT3G

    APTM100H45FT3G

    MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM100H45FT3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1000V (1kV) 18A 540mOhm @ 9A, 10V 5V @ 2.5mA 154nC @ 10V 4350pF @ 25V 357W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    MSCSM70VM19C3AG

    MSCSM70VM19C3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 124A SP3F

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM70VM19C3AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    APTM50AM38FTG

    APTM50AM38FTG

    MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM50AM38FTG

    Tabla de datos

    POWER MOS 7® SP4 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 500V 90A 45mOhm @ 45A, 10V 5V @ 5mA 246nC @ 10V 11200pF @ 25V 694W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
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