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0Microchip Technology APTM50H10FT3G
- Número de pieza.:
- APTM50H10FT3G
- Fabricante:
- Microchip Technology
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- SP3
- Datasheet:
-
APTM50H10FT3G.pdf
- Descripción:
- MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Microchip Technology
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- SP3
- Embalaje:
- Bulk
- Estado del producto:
- Active
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- 4 N-Channel (Full Bridge)
- Característica FET:
- -
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 500V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 37A
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 120mOhm @ 18.5A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 5V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 96nC @ 10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 4367pF @ 25V
- Potencia: máx.:
- 312W
- Temperatura de funcionamiento:
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SP3
Inventario:4,388
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SSM6N7002KFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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2N7002DW-7-F
Diodes Incorporated
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SSM6L56FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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2N7002BKS,115
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