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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    HP4936DY

    HP4936DY

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

    Harris Corporation

    1,838
    RFQ
    HP4936DY

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMC8200

    FDMC8200

    MOSFET N-CH

    Fairchild Semiconductor

    69,000
    RFQ
    FDMC8200

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFWD040N10MCLT1G

    NVMFWD040N10MCLT1G

    MOSFET 2N-CH 100V 6.1A 8DFN

    onsemi

    6,000
    RFQ

    -

    - 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 6.1A (Ta), 21A (Tc) 39mOhm @ 5A, 10V 3V @ 26µA 8.4nC @ 10V 520pF @ 50V 3.2W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    AM4502C

    AM4502C

    MOSFET N/P-CH 30V 9.4A 8SO

    Analog Power Inc.

    2,000
    RFQ
    AM4502C

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 9.4A (Ta), 7.9A (Ta) 23mOhm @ 8.5A, 10V 1V @ 250µA 15nC @ 10V, 28nC @ 10V 1456pF @ 15V, 1934pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FDMS7608S

    FDMS7608S

    MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56

    Fairchild Semiconductor

    1,290
    RFQ
    FDMS7608S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 12A, 15A 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V 1510pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    AM4512C

    AM4512C

    MOSFET N/P-CH 30V 6.9A 8SO

    Analog Power Inc.

    6,000
    RFQ
    AM4512C

    Tabla de datos

    - PowerPAK® SO-8 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 6.7A (Ta), 5.2A (Ta) 31mOhm @ 4.7A, 10V, 52mOhm @ 4.2A, 10V 1V @ 250µA 6nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V 519pF @ 15V, 604pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AM4902N

    AM4902N

    MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8SO

    Analog Power Inc.

    2,500
    RFQ
    AM4902N

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 6.4A (Ta) 35mOhm @ 5.2A, 10V 1V @ 250µA 16nC @ 4.5V 1460pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FDMS9620S

    FDMS9620S

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

    Fairchild Semiconductor

    234,000
    RFQ
    FDMS9620S

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDS6892A

    FDS6892A

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

    onsemi

    4,514
    RFQ
    FDS6892A

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    AM4998N

    AM4998N

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

    Analog Power Inc.

    4,000
    RFQ
    AM4998N

    Tabla de datos

    - PowerPAK® SO-8 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 6.7A (Ta) 32mOhm @ 5.3A, 4.5V 0.5V @ 250µA (Min) 9nC @ 4.5V 641pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FQS4900TF

    FQS4900TF

    MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    34,750
    RFQ
    FQS4900TF

    Tabla de datos

    QFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V, 300V 1.3A, 300mA 550mOhm @ 650mA, 10V 1.95V @ 20mA 2.1nC @ 5V - 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    UPA2371T1P-E1-A

    UPA2371T1P-E1-A

    MOSFET 2N-CH 24V 6A 4EFLIP

    Renesas

    5,000
    RFQ
    UPA2371T1P-E1-A

    Tabla de datos

    - 4-UFLGA Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 24V 6A - - - - - - - - Surface Mount 4-EFLIP (1.62x1.62)
    NVMFWD027N10MCLT1G

    NVMFWD027N10MCLT1G

    MOSFET 2 N-Channel 100V 7.4A (Ta

    Flip Electronics

    1,500
    RFQ

    -

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RF1K4909096

    RF1K4909096

    RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT

    Harris Corporation

    4,500
    RFQ
    RF1K4909096

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RF1K4909396

    RF1K4909396

    RF1K4909396 - POWER FIELD-EFFECT

    Harris Corporation

    2,074
    RFQ
    RF1K4909396

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFD020N10MCLT1G

    NVMFD020N10MCLT1G

    MOSFET 2 N-Channel 100V 8.3A (Ta

    Flip Electronics

    12,000
    RFQ

    -

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA2324T1P-E1-A

    UPA2324T1P-E1-A

    MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    30,000
    RFQ

    -

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFWD020N10MCLT1G

    NVMFWD020N10MCLT1G

    MOSFET 2 N-Channel 100V 8.3A (Ta

    Flip Electronics

    12,000
    RFQ

    -

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDSS2407

    FDSS2407

    MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    433,537
    RFQ
    FDSS2407

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 62V 3.3A 110mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 4.3nC @ 5V 300pF @ 15V 2.27W -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    AM3816N

    AM3816N

    MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 6TSOP

    Analog Power Inc.

    3,000
    RFQ
    AM3816N

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 20V 5.3A (Ta) 30mOhm @ 5.3A, 4.5V 400mV @ 250µA 12nC @ 4.5V 727pF @ 15V 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
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