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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IXFL132N50P3MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264 IXYS |
25 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 63A (Tc) | 10V | 43mOhm @ 66A, 10V | 5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 18600 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS264™ |
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IXFL210N30P3MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264 IXYS |
13 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 108A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 105A, 10V | 5V @ 8mA | 268 nC @ 10 V | ±20V | 16200 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS264™ |
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IXFR44N50Q3MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 IXYS |
25 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 25A (Tc) | 10V | 154mOhm @ 22A, 10V | 6.5V @ 4mA | 93 nC @ 10 V | ±30V | 4800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
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IXKR40N60CMOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 IXYS |
14 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 38A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 25A, 10V | 3.9V @ 3mA | 250 nC @ 10 V | ±20V | - | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
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IXFR64N60Q3MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247 IXYS |
30 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 42A (Tc) | 10V | 104mOhm @ 32A, 10V | 6.5V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±30V | 9930 pF @ 25 V | - | 568W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
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IXFR32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 IXYS |
30 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 16A, 10V | 6.5V @ 8mA | 195 nC @ 10 V | ±30V | 9940 pF @ 25 V | - | 570W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
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IXFB40N110Q3MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 IXYS |
20 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1100 V | 40A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 20A, 10V | 6.5V @ 8mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 14000 pF @ 25 V | - | 1560W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS264™ |
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MMIX1F180N25TMOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD IXYS |
18 | - |
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Tabla de datos |
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | 24-PowerSMD, 21 Leads | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 132A (Tc) | 10V | 13mOhm @ 90A, 10V | 5V @ 8mA | 364 nC @ 10 V | ±20V | 23800 pF @ 25 V | - | 570W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 24-SMPD |
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MMIX1F132N50P3MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD IXYS |
20 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | 24-PowerSMD, 21 Leads | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 63A (Tc) | 10V | 43mOhm @ 66A, 10V | 5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 18600 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 24-SMPD |
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IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B IXYS |
9 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 40A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 500mA, 10V | 3.9V @ 2.5mA | 250 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 290W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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