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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IXTU02N50DMOSFET N-CH 500V 200MA TO251 IXYS |
356 | - |
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Tabla de datos |
Depletion | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 200mA (Tc) | 10V | 30Ohm @ 50mA, 0V | 5V @ 25µA | - | ±20V | 120 pF @ 25 V | - | 1.1W (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251AA |
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IXFQ20N50P3MOSFET N-CH 500V 20A TO3P IXYS |
294 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 20A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 1.5mA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1800 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
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IXTY02N50DMOSFET N-CH 500V 200MA TO252 IXYS |
116 | - |
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Tabla de datos |
Depletion | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 200mA (Tc) | - | 30Ohm @ 50mA, 0V | - | - | ±20V | 120 pF @ 25 V | - | 1.1W (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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IXTA90N075T2MOSFET N-CH 75V 90A TO263 IXYS |
252 | - |
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Tabla de datos |
TrenchT2™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 90A (Tc) | 10V | 10mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 3290 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AA |
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IXFP12N50PMOSFET N-CH 500V 12A TO220AB IXYS |
277 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 6A, 10V | 5.5V @ 1mA | 29 nC @ 10 V | ±30V | 1830 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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IXFQ22N60P3MOSFET N-CH 600V 22A TO3P IXYS |
107 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 22A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 1.5mA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 2600 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
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IXFQ34N50P3MOSFET N-CH 500V 34A TO3P IXYS |
582 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 34A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 17A, 10V | 5V @ 4mA | 60 nC @ 10 V | ±30V | 3260 pF @ 25 V | - | 695W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
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IXFQ50N50P3MOSFET N-CH 500V 50A TO3P IXYS |
253 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 50A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 4mA | 85 nC @ 10 V | ±30V | 4335 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
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IXFQ94N30P3MOSFET N-CH 300V 94A TO3P IXYS |
126 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 94A (Tc) | 10V | 36mOhm @ 47A, 10V | 5V @ 4mA | 102 nC @ 10 V | ±20V | 5510 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
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IXTA15N50L2MOSFET N-CH 500V 15A TO263 IXYS |
134 | - |
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Tabla de datos |
Linear L2™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 15A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 7.5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 123 nC @ 10 V | ±20V | 4080 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AA |
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