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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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LSIC1MO120T0120-TU1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS |
4,859 | - |
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- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 27A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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IXTA02N450HVMOSFET N-CH 4500V 200MA TO263 IXYS |
3,925 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 4500 V | 200mA (Tc) | 10V | 750Ohm @ 10mA, 10V | 6.5V @ 250µA | 10.4 nC @ 10 V | ±20V | 256 pF @ 25 V | - | 113W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AA |
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IXFH12N90MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD IXYS |
3,048 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 12A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 4mA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 4200 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
.jpg)
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IXTH12N100MOSFET N-CH 1000V 12A TO247 IXYS |
4,577 | - |
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- |
MegaMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 12A (Tc) | 10V | 1.05Ohm @ 6A, 10V | 4.5V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 4000 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
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IXFH50N60XMOSFET N-CH 600V 50A TO247 IXYS |
2,292 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Ultra X | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 50A (Tc) | 10V | 73mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 4mA | 116 nC @ 10 V | ±30V | 4660 pF @ 25 V | - | 660W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
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IXFT80N15QMOSFET N-CH 150V 80A TO268 IXYS |
2,418 | - |
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- |
HiPerFET™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 80A (Tc) | 10V | 22.5mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
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IXTK62N25MOSFET N-CH 250V 62A TO264 IXYS |
4,712 | - |
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- |
MegaMOS™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 62A (Tc) | 10V | 35mOhm @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 5400 pF @ 25 V | - | 390W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 (IXTK) |
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IXTT12N140MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 IXYS |
4,182 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1400 V | 12A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 6A, 10V | 4.5V @ 250µA | 106 nC @ 10 V | ±20V | 3720 pF @ 25 V | - | 890W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
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IXFT50N60XMOSFET N-CH 600V 50A TO268 IXYS |
3,526 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Ultra X | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 50A (Tc) | 10V | 73mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 4mA | 116 nC @ 10 V | ±30V | 4660 pF @ 25 V | - | 660W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
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IXFH60N60XMOSFET N-CH 600V 60A TO247 IXYS |
4,713 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Ultra X | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 60A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 30A, 10V | 4.5V @ 8mA | 143 nC @ 10 V | ±30V | 5800 pF @ 25 V | - | 890W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
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